IBM完成业界首个22nm SRAM单元 强势挑战Intel

mike521zx

IBM宣布已经生产出业界第一个功能正常的22nm工艺SRAM(静态存储器)单元。虽然相应工艺的处理器还要大约三年后才能面世，但Intel的22nm处理器也要等到2011年底，因此Intel必须付出更多研发努力来确保自己一贯的领先地位。

SRAM芯片一般是半导体产业试验新工艺的第一种设备，也是迈向真正微处理器的关键一步。这块由IBM、AMD、飞思卡尔、意法半导体、东芝、纳米科学与工程学院(CNSE)共同制造的22nm SRAM芯片采用了传统的六晶体管设计，在300mm晶圆上切割而来，其面积仅有0.1平方微米。相比之下，Intel的45nm SRAM单元面积为0.346平方微米。

遗憾的是IBM没有公布任何实物照片，只是说更多细节将在今年12月15-17日旧金山召开的IEEE国际电子设备年度技术会议上公布。

事实上，22nm处理器距离我们还有两个世代，之前还有32nm。Intel曾在去年9月的秋季IDF上展示过32nm SRAM，预计今年秋季IDF会拿出首颗32nm处理器原型，而22nm SRAM应该要一年之后了。

IBM同时表示，其32nm工艺进展顺利，将会使用“业界领先的32nm High-K金属栅极技术，没有任何企业或联盟可以匹敌”。

图形芯片的生产工艺将在明年上半年达到40nm，从而第一次领先处理器，而在竞争32nm、22nm的过程中，IBM牵头的联盟也有望第一次和Intel齐头并进。